【日経新聞：NTT、半導体向け成膜の研究にAI活用　実験を3倍高速に】 NTTは25日、半導体のシリコンウエハー上に膜を形成する成膜の研究を効率化する技術を検証したと発表した。 人工知能（AI）で成膜の最適な条件を見つける。 研究に必要な実験のプロセスが従来に比べ3倍高速になるという。 半導体材料の性能を左右する成膜において、温度やガス流量といった最適な条件をAIで探す。 成膜から評価、次の条件設定に至るまでを自律的に担う。 開発した技術は今回、次世代パワー半導体材料の研究で検証した。 NTTはこれまでも半導体の成膜技術の研究にAIを導入してきたが、最適な条件を見つける過程や根拠を人間が理解できる形で示せないのが課題だった。 今回の取り組みでは条件探索の過程で得たデータを研究者が応用できる科学知識として抽出する。 科学研究の分野ではAIの導入が広がっている。 材料開発では実際に実験をする前に最適な条件や組み合わせを検証できるため、AIで研究を効率化する余地は大きい。 NTTは2025年には光通信用デバイス向け半導体薄膜の材料分析にAIを活用すると発表した。 https://www.nikkei.com/article/DGXZQOUC2560A0V20C26A8000000/